3D 封装（3D Packaging）
多芯片垂直堆叠 — 通过 TSV 与 混合键合 实现 die-to-die 直连，是 HBM 持续堆叠和下一代 AI 芯片（SoIC / Foveros）的物理基础（据2-05）。
∈ belongs_to::2-05-先进封装
是什么
不再把 die 在水平面并排（2.5D 封装），而是 把多颗 die 像三明治一样垂直叠起来，通过：
- TSV（硅通孔） — 在 die 上打通垂直信号通道
- 混合键合（Hybrid Bonding） — 取消焊球，铜-铜直接键合，节距进入亚微米级
实现极短互联、极高密度、极低功耗的 die-to-die 直连。
主流应用
1. HBM stack 内部堆叠
HBM 本身就是 3D 封装的成功案例 — 8/12 层 DRAM die 通过 TSV 垂直堆叠。HBM4 升级至 16 层堆叠的关键正是 混合键合 取代微凸点（据2-05）。
2. 逻辑芯片 3D 堆叠（SoIC / Foveros）
- 台积电 SoIC — 晶圆级 3D 集成，应用于下一代 AI 芯片
- Intel Foveros — Meteor Lake / Ponte Vecchio 已量产
- 三星电子 X-Cube — 3D-IC 平台
3. 3D NAND
NAND Flash 通过电荷阱栅极的垂直堆叠（128/232/400 层）实现容量倍增，长江存储 Xtacking 用 混合键合 将存储阵列与 CMOS 逻辑分晶圆加工后键合。
4. CMOS Image Sensor
Sony、三星把像素层与逻辑层 3D 堆叠，提升 BSI CMOS 性能。
关键工艺挑战
- 散热 — 垂直堆叠后热密度急剧上升，需配合 液冷 解决
- 良率 — 单 die 良率叠乘，对每层质量要求极高
- 测试 — KGD（Known Good Die）筛选成本上升
- 设备 — 混合键合 设备由 BESI / Applied Materials / EVG 主导
与 2.5D 的关系
2.5D 与 3D 是 互补而非替代：当代 AI 芯片普遍采用 "2.5D（GPU + HBM 并排）+ 3D（HBM 内部堆叠）" 混合模式。下一代演进路线是 GPU 本身也走向 3D 堆叠（SoIC）。